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SiZ720DT
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.020
I D = 20 A
10
T J = 150 °C
0.015
0.010
1
0.1
T J = 25 °C
0.005
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1. 8
I D = 250 μ A
40
1.6
30
1.4
20
1.2
1.0
0. 8
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
1
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
Time (s)
Single Pulse Power
0.1
T A = 25 °C
DC
Single P u lse
B V DSS Limited
0.01
Document Number: 65579
S11-2379-Rev. B, 28-Nov-11
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
9
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